中晶科技(003026)
生產(chǎn)工藝
Production Process
01
備料
準(zhǔn)備一定量比例的多晶硅和摻雜劑，置入單晶爐內(nèi)的石英坩堝中。
02
晶體生長
利用單晶爐將半導(dǎo)體級多晶硅在最高溫度達(dá)1500℃的熱場中熔化，然后通過晶體生長拉制成用戶所需的直徑和電學(xué)參數(shù)的單晶硅錠。
03
滾圓
將生長的單晶錠經(jīng)過金剛石砂輪的外圓磨削加工，使磨削加工后的硅棒成為具有標(biāo)準(zhǔn)直徑的圓柱體。
06
研磨
利用游星輪將硅片置于雙面研磨機(jī)的上下磨盤之間，加入液體研磨料，使硅片隨著磨盤作相對的行星運(yùn)動，并對硅片分段加壓進(jìn)行雙面研磨加工，改善片間和片內(nèi)厚度公差提高硅片平整度和平行度。
05
倒角
對切片邊緣輪廓進(jìn)行金剛石砂輪磨削加工，以減少后續(xù)硅片加工及器件工藝中的碎片不良。
04
切片
將經(jīng)過滾圓工序的硅棒，切割成一定厚度的硅圓片。
07
拋光
利用拋光液對硅片表面的機(jī)械研磨和化學(xué)腐蝕的雙重作用從而獲得無加工損傷平整（鏡面光滑）的硅片表面。
08
檢驗(yàn)
按硅片產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)要求實(shí)施質(zhì)量檢測判定。
09
拋光片
各類規(guī)格的高品質(zhì)單晶硅片。
12
氧化膜邊緣剝離機(jī)
氧化膜邊緣剝離機(jī)用于剝離硅片邊緣APCVD工藝生產(chǎn)的氧化膜，消除硅片邊緣氧化膜對外延工藝的影響。
11
LPCVD
LPCVD爐用于硅片背面沉積本征多晶硅（i-poly），多晶硅膜起到吸除硅片內(nèi)部金屬離子的作用。用于增強(qiáng)型外吸雜工藝。
10
APCVD
APCVD爐用于硅片背面沉積低溫氧化膜（LTO），防止硅片外延工藝過程中硅片內(nèi)部的摻雜劑通過背面溢出擴(kuò)散到硅片正面的外延層中。
核心技術(shù)
Core Technology
再投料直拉技術(shù)
多次投料、提高設(shè)備效能和坩堝利用率、提升摻雜對檔率。
磁場直拉單晶硅技術(shù)
可實(shí)現(xiàn)低氧含量、低晶格缺陷密度、徑向摻雜均勻的直拉單晶產(chǎn)品。
半導(dǎo)體單晶金剛線多線切割
金剛線多線切割技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的砂漿切割，切割速度更快、單片耗材更少、單片成本更低，且切片厚度更為均勻，是目前先進(jìn)的材料加工技術(shù)。